固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。涵盖白色家电、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。